制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Tube

高度:6.2 mm

长度:6.6 mm

系列:STD12NF06L-1

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:2.4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:7 S

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:4 g