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STD11N65M5 /STMicroelectronics/分立半导体产品
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标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? V

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):620pF @ 100V

功率 - 最大值:85W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:D-Pak

其它名称:497-12935-2

供应商STD11N65M5
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD11N65M5www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
集好芯城STD11N65M5深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STD11N65M5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司STD11N65M5深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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深圳市博浩通科技有限公司STD11N65M5华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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芯莱德电子(香港)有限公司STD11N65M5深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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STD11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1281.9 Kbytes共25页STD11N65M5的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
1000+:¥7.561+:¥12.92
10+:¥10.44
100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.75
2500+:¥7.12
5000+:¥7.05
10000+:¥6.78
25000+:¥6.572500+:¥6.539950+:¥15.19
250+:¥12.1
500+:¥10.55
2500+:¥8.241+:¥7.73
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STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
1000+:¥7.561+:¥12.92
10+:¥10.44
100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.75
2500+:¥7.12
5000+:¥7.05
10000+:¥6.78
25000+:¥6.572500+:¥6.5399
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Digi-Key 得捷电子
STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
1000+:¥7.56
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Digi-Key 得捷电子
STD11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N CH 650V 9A DPAK$1.58000
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Mouser 贸泽电子
STD11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
2,500:¥7.4806
5,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
1000+:¥7.561+:¥12.92
10+:¥10.44
100+:¥8.3699
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5000+:¥7.05
10000+:¥6.78
25000+:¥6.57
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RS(欧时)
STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
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10+:¥10.44
100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.75
2500+:¥7.12
5000+:¥7.05
10000+:¥6.78
25000+:¥6.572500+:¥6.539950+:¥15.19
250+:¥12.1
500+:¥10.55
2500+:¥8.24
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Verical
STD11N65M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh V MOS1+:¥16.2199
10+:¥13.09
100+:¥10.47
500+:¥9.17
1000+:¥7.561+:¥12.92
10+:¥10.44
100+:¥8.3699
500+:¥8.3699
1000+:¥7.75
2500+:¥7.12
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10000+:¥6.78
25000+:¥6.572500+:¥6.539950+:¥15.19
250+:¥12.1
500+:¥10.55
2500+:¥8.241+:¥7.731+:¥7.98
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立创商城
STD11N65M5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:480mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.21
10+:¥3.83
30+:¥3.57
100+:¥3.32
500+:¥3.2
1000+:¥3.15