其它有关文件：STD12N65M5 View All Specifications

产品培训模块：5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? V

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：430 毫欧 @ 4.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：900pF @ 100V

功率 - 最大值：70W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

其它名称：497-10568-2