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STD12N60DM2AG /MOSFET
STD12N60DM2AG的规格信息
STD12N60DM2AG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:14.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:STD12N60DM2AG

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商STD12N60DM2AG
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