制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:395 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:-

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:-

Pd-功率耗散:85 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.2 mm

产品:Power MOSFET

系列:STD12N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MDmesh M2

宽度:6.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:-

产品类型:MOSFET

上升时间:-

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:-

典型接通延迟时间:-

单位重量:4 g