制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:10.1 mm

产品:Power MOSFET

系列:STD110N8F6

晶体管类型:1 N-Channel

类型:STripFET

宽度:6.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:48 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:61 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:162 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:4 g