系列：STripFET™ II
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：850pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：200 毫欧 @ 5A，10V
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package：DPAK
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：60V
连续漏极电流ID：10A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs