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STD10NM50N /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件:STD10NM50N View All Specifications

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:MDmesh? II

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):450pF @ 50V

功率 - 最大值:70W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:D-Pak

其它名称:497-10954-2

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深圳市芯幂科技有限公司STD10NM50N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD10NM50N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STD10NM50N深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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STD10NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1+:¥14.65
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25+:¥11.8750+:¥13.9
250+:¥11.62
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