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STD10N60M6 /MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
STD10N60M6的规格信息
STD10N60M6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesMDmesh™ M6

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 10 V

Vgs (Max)±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds338 pF @ 100 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)60W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageDPAK

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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