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STB9NK80Z /MOSFET N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protected
STB9NK80Z的规格信息
STB9NK80Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:5.2 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:SuperMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB9NK80Z

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:4 g

供应商STB9NK80Z
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深圳市斌腾达科技有限公司STB9NK80Z深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB9NK80Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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盛信伟业（深圳）科技有限公司STB9NK80Z深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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上海山峻电子有限公司STB9NK80Z上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市辉华拓展电子有限公司STB9NK80Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司STB9NK80Z深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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集好芯城STB9NK80Z深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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STB9NK80ZExtremely high dv/dt capability STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO987.73 Kbytes共15页STB9NK80Z的PDF下载地址无
STB9NK80Z的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		STB9NK80ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:￥23.49
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Digi-Key 得捷电子		STB9NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK$1.89000
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