标准包装：4,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4A

Rds（最大）@ ID，VGS：40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：14.1nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：970pF @ 10V

功率 - 最大：500mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：ES6

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

动态目录：P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16563?mpart=SSM6J212FE,LF&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 1mA

供应商设备封装：ES6

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：500mW

标准包装：4,000

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：970pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：14.1nC @ 4.5V

封装/外壳：SOT-563, SOT-666

其他名称：SSM6J212FELFCT

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

晶体管极性：P-Channel

源极击穿电压：8 V

连续漏极电流：- 4 A

RDS（ON）：94 mOhms

功率耗散：500 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：ES-6

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 20 V

RoHS：RoHS Compliant

栅极电荷Qg：14.1 nC