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SSM4K27CTTPL3 /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
SSM4K27CTTPL3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:Small Signal MOSFET

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):205 毫欧 @ 250mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):174pF @ 10V

功率 - 最大值:400mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-SMD,无引线

供应商器件封装:CST4(1.2x0.8)

其它名称:SSM4K27CT(TPL3)SSM4K27CT(TPL3)TRSSM4K27CT(TPL3)TR-NDSSM4K27CTTPL3TR

供应商SSM4K27CTTPL3
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