产品培训模块：Small Signal MOSFET

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：205 毫欧 @ 250mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：174pF @ 10V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-SMD，无引线

供应商器件封装：CST4（1.2x0.8）

其它名称：SSM4K27CT(TPL3)CTSSM4K27CT(TPL3)CT-NDSSM4K27CTTPL3CT