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SSM3K09FU /Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K09FU, 400 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
SSM3K09FU的规格信息
SSM3K09FU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:400 mA

最大漏源电压:30 V

最大漏源电阻值:1.7 0hms

最大栅阈值电压:1.8V

最小栅阈值电压:1.1V

最大栅源电压:±20 V

封装类型:SOT-323

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

最大功率耗散:150 mW

典型接通延迟时间:72 ns

典型关断延迟时间:68 ns

典型输入电容值@Vds:20 pF @ 5 V

每片芯片元件数目:1

宽度:2mm

长度:1.25mm

高度:0.9mm

尺寸:1.25 x 2 x 0.9mm

最高工作温度:+150 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SSM3K09FU
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现代芯城(深圳)科技有限公司SSM3K09FUwww.nowchip.com0755-27381274
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SSM3K09FU,LF(BTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USMTOSHIBATOSHIBA的LOGO212.10 Kbytes共5页SSM3K09FU,LF(B的PDF下载地址
SSM3K09FU,LF(TTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/RTOSHIBATOSHIBA的LOGO212.10 Kbytes共5页SSM3K09FU,LF(T的PDF下载地址
SSM3K09FU_07High Speed Switching Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO206.57 Kbytes共5页SSM3K09FU_07的PDF下载地址RJK6014DPP,1SS306_07,2SK1930_06,2SK2267_06,MP4209_07,SSM3J16FU,HN4D01JU,2SK1382_06,2SK2311_06,MP4210_07
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Digi-Key 得捷电子
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 400MA USM$0.44000
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Mouser 贸泽电子
SSM3K09FU,LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V1:¥3.6838
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1,000:¥0.77631
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