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SSM3J36FS(T5L,F,T) / Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
SSM3J36FS(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

标准包装:3,000

FET 型 :MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点:Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS):20V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C:330mA

Rds(最大)@ ID,VGS:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id:1V @ 1mA

栅极电荷(Qg)@ VGS:1.2nC @ 4V

输入电容(Ciss)@ Vds的:43pF @ 10V

功率 - 最大:150mW

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :SC-75, SOT-416

供应商器件封装:SSM (1.6x1.6)

包装材料 :Tape & Reel (TR)

包装:3SSM

渠道类型:P

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:20 V

最大连续漏极电流:0.33 A

RDS -于:1310@4.5V mOhm

最大门源电压:±8 V

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

FET特点:Logic Level Gate, 1.5V Drive

封装:Tape & Reel (TR)

安装类型:Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:330mA (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id:1V @ 1mA

供应商设备封装:SSM

开态Rds(最大)@ Id ,V GS:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V

FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大:150mW

漏极至源极电压(Vdss):20V

输入电容(Ciss ) @ VDS:43pF @ 10V

闸电荷(Qg ) @ VGS:1.2nC @ 4V

封装/外壳:SC-75, SOT-416

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

其他名称:SSM3J36FS(T5LFT)CT

工厂包装数量:3000

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P-Channel

源极击穿电压:+/- 8 V

连续漏极电流:0.33 A

安装风格:SMD/SMT

RDS(ON):1310 mOhms

功率耗散:150 mW

最低工作温度:- 55 C

封装/外壳:SSM

配置:Single

最高工作温度:+ 150 C

漏源击穿电压:20 V

RoHS:RoHS Compliant

供应商SSM3J36FS(T5L,F,T)
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