Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：3,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：330mA

Rds（最大）@ ID，VGS：1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：1.2nC @ 4V

输入电容（Ciss）@ Vds的：43pF @ 10V

功率 - 最大：150mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SC-75, SOT-416

供应商器件封装：SSM (1.6x1.6)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：3SSM

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：0.33 A

RDS -于：1310@4.5V mOhm

最大门源电压：±8 V

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

FET特点：Logic Level Gate, 1.5V Drive

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：330mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 1mA

供应商设备封装：SSM

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：150mW

漏极至源极电压（Vdss）：20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：43pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：1.2nC @ 4V

封装/外壳：SC-75, SOT-416

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：SSM3J36FS(T5LFT)CT

工厂包装数量：3000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

源极击穿电压：+/- 8 V

连续漏极电流：0.33 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：1310 mOhms

功率耗散：150 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SSM

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：20 V

RoHS：RoHS Compliant