Rohs:Lead free / RoHS Compliant
标准包装:3,000
FET 型
:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:330mA
Rds(最大)@ ID,VGS:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id:1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS:1.2nC @ 4V
输入电容(Ciss)@ Vds的:43pF @ 10V
功率 - 最大:150mW
安装类型
:Surface Mount
包/盒
:SC-75, SOT-416
供应商器件封装:SSM (1.6x1.6)
包装材料
:Tape & Reel (TR)
包装:3SSM
渠道类型:P
通道模式:Enhancement
最大漏源电压:20 V
最大连续漏极电流:0.33 A
RDS -于:1310@4.5V mOhm
最大门源电压:±8 V
工作温度:-55 to 150 °C
安装:Surface Mount
标准包装:Tape & Reel
FET特点:Logic Level Gate, 1.5V Drive
封装:Tape & Reel (TR)
安装类型:Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:330mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:1V @ 1mA
供应商设备封装:SSM
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:150mW
漏极至源极电压(Vdss):20V
输入电容(Ciss ) @ VDS:43pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS:1.2nC @ 4V
封装/外壳:SC-75, SOT-416
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
其他名称:SSM3J36FS(T5LFT)CT
工厂包装数量:3000
产品种类:MOSFET
晶体管极性:P-Channel
源极击穿电压:+/- 8 V
连续漏极电流:0.33 A
安装风格:SMD/SMT
RDS(ON):1310 mOhms
功率耗散:150 mW
最低工作温度:- 55 C
封装/外壳:SSM
配置:Single
最高工作温度:+ 150 C
漏源击穿电压:20 V
RoHS:RoHS Compliant