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SSM3J35CT,L3F(T /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：P沟道
SSM3J35CT,L3F(T的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）100mA

栅源极阈值电压1V @ 1mA

漏源导通电阻8Ω @ 50mA,4V

最大功率耗散（Ta=25°C）100mW

类型P沟道

供应商SSM3J35CT,L3F(T
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18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SSM3J35CT,L3F(T深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城SSM3J35CT,L3F(T深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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SSM3J35CT,L3F(T连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：P沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO345.10 Kbytes共5页SSM3J35CT,L3F(T的PDF下载地址无
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300+:￥0.176255
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10000+:￥0.157924
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