SSM3J35CT,L3F(T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道
SSM3J35CT,L3F(T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100mA
栅源极阈值电压1V @ 1mA
漏源导通电阻8Ω @ 50mA,4V
最大功率耗散(Ta=25°C)100mW
类型P沟道
SSM3J35CT,L3F(T
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SSM3J35CT,L3F(T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 345.10 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SSM3J35CT,L3F(T | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道 | 10+:¥0.247247 100+:¥0.187271 300+:¥0.176255 1000+:¥0.165239 5000+:¥0.160343 10000+:¥0.157924
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