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SQJ415EP-T1_GE3 /MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJ415EP-T1_GE3的规格信息
SQJ415EP-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:95 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:37 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:67 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商SQJ415EP-T1_GE3
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Digi-Key 得捷电子		SQJ415EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8$0.99000
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Mouser 贸泽电子		SQJ415EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L1:¥7.2207
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