制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:20 A, 60 A

Rds On-漏源导通电阻:7.4 mOhms, 3.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:18 nC, 43 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:27 W, 48 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SQ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.13 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:55 S, 60 S

下降时间:13 ns, 14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns, 17 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns, 19 ns

典型接通延迟时间:4 ns, 7 ns

单位重量:506.600 mg