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SQJ402EP-T1_GE3 /MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
SQJ402EP-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:32 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.13 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:54 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ402EP-T1_GE3
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深圳市斌腾达科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市芯幂科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市骏凯诚科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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上海三崧电子有限公司SQJ402EP-T1_GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市星宇佳科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市星宇佳科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQJ402EP-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SQJ402EP-T1_GE3MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO192.8 Kbytes共10页SQJ402EP-T1_GE3的PDF下载地址
SQJ402EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO235.2 Kbytes共10页SQJ402EP-T1_GE3的PDF下载地址
SQJ402EP-T1_GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO206.30 Kbytes共11页SQJ402EP-T1_GE3的PDF下载地址
SQJ402EP-T1_GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8$1.52000
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Mouser 贸泽电子
SQJ402EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified1:¥12.9046
10:¥11.4469
100:¥9.0626
500:¥7.2659
3,000:¥5.2658
6,000:查看
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SQJ402EP-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.07
10+:¥6.88
30+:¥6.75
100+:¥6.62