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SQJ158EP-T1_GE3 /MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
SQJ158EP-T1_GE3的规格信息
SQJ158EP-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:27.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:36 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ158EP-T1_GE3
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SQJ158EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO271.46 Kbytes共10页SQJ158EP-T1_GE3的PDF下载地址无
SQJ158EP-T1_GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO216.35 Kbytes共7页SQJ158EP-T1_GE3的PDF下载地址无
SQJ158EP-T1_GE3的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		SQJ158EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8$0.69000
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Mouser 贸泽电子		SQJ158EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L1:¥5.6839
10:¥4.5765
100:¥3.4691
500:¥2.8702
1,000:¥2.2939
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立创商城		SQJ158EP-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道1+:￥5.34
10+:￥5.2
30+:￥5.11
100+:￥4.51
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