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SQJ244EP-T1_GE3 /MOSFET 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJ244EP-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:20 A, 60 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms, 11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC, 45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:27 W, 48 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:26 S, 73 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns, 26 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 15 ns

供应商SQJ244EP-T1_GE3
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SQJ244EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L1:¥10.5994
10:¥8.7575
100:¥6.6896
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1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313