SM3405NSQGC-TRG
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道
SM3405NSQGC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A(Tc)
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
漏源导通电阻3.2mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）62.5W(Tc)
类型N沟道
SM3405NSQGC-TRG
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| SM3405NSQGC-TRG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | ![SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/1165SINOPWER.GIF) | 170.98 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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立创商城 | SM3405NSQGC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.74
10+:￥2.01
30+:￥1.88
100+:￥1.74
500+:￥1.69
1000+:￥1.66
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