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SM3324NHQGC-TRG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):77A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.8W(Tc) 类型:N沟道
SM3324NHQGC-TRG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)77A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.6mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)32.8W(Tc)

类型N沟道

供应商SM3324NHQGC-TRG
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SM3324NHQGC-TRGSinopower(大中)连续漏极电流(Id)(25°C 时):77A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.8W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.8561
10+:¥1.3663
30+:¥1.2764
100+:¥1.1864
500+:¥1.1464
1000+:¥1.1266