SM3324NHQGC-TRG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):77A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.8W(Tc) 类型:N沟道
SM3324NHQGC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)77A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.6mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)32.8W(Tc)
类型N沟道
SM3324NHQGC-TRG
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SM3324NHQGC-TRG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | ![SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/1165SINOPWER.GIF) | 173.11 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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 立创商城 | SM3324NHQGC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):77A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.8W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.8561 10+:¥1.3663 30+:¥1.2764 100+:¥1.1864 500+:¥1.1464 1000+:¥1.1266
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