SM3403PSQGC-TRG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):95A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道
SM3403PSQGC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)95A(Tc)
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻3.6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W
类型P沟道
SM3403PSQGC-TRG
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SM3403PSQGC-TRG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | ![SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/1165SINOPWER.GIF) | 171.39 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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 立创商城 | SM3403PSQGC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):95A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 | 1+:¥2.36 10+:¥1.77 30+:¥1.66 100+:¥1.56 500+:¥1.51 1000+:¥1.48
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