SM3337PSQGC-TRG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29.8W(Tc) 类型:P沟道
SM3337PSQGC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)32A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻19mΩ @ 10.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)29.8W(Tc)
类型P沟道
SM3337PSQGC-TRG
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SM3337PSQGC-TRG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | ![SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/1165SINOPWER.GIF) | 165.61 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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 立创商城 | SM3337PSQGC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29.8W(Tc) 类型:P沟道 | 1+:¥1.1026 10+:¥0.7932 30+:¥0.7364 100+:¥0.6796 500+:¥0.6543 1000+:¥0.6419
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