SM3380EHQGC-TRG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道(半桥)
SM3380EHQGC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)20W(Tc)
类型双N沟道(半桥)
SM3380EHQGC-TRG
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SM3380EHQGC-TRG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | ![SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/1165SINOPWER.GIF) | 312.65 Kbytes | 共16页 |  | 无 |
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 立创商城 | SM3380EHQGC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道(半桥) | 1+:¥2.19 10+:¥1.59 30+:¥1.48 100+:¥1.37 500+:¥1.32 1000+:¥1.3
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