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SISS72DN-T1-GE3 /MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS72DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:25.5 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:65.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:18 ns

供应商SISS72DN-T1-GE3
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Digi-Key 得捷电子
SISS72DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK$1.66000
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SISS72DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9043
3,000:¥5.3223
6,000:查看