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SISS23DN-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3的规格信息
SISS23DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:300 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:44 S

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:45 ns

供应商SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
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现代芯城（深圳）科技有限公司SISS23DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SISS23DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiSS23DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SISS23DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SISS23DN-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
SISS23DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SISS23DN-T1-GE3MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8SVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO267.45 Kbytes共9页SISS23DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISS23DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO235.11 Kbytes共9页SISS23DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISS23DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO266.35 Kbytes共9页SISS23DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISS23DN-T1-GE3SISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO235.11 Kbytes共9页SISS23DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISS23DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SISS23DN-T1-GE3Siliconix / VishaySISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212+6000:$0.62
+300000:$0.61
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SISS23DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 4.5mOhm@4.5V -50A P-Ch G-III1+:￥6.55
10+:￥5.75
25+:￥5.07
100+:￥4.42
250+:￥3.8401
500+:￥3.27
1000+:￥2.631+:￥5.04
10+:￥3.93
100+:￥2.98
500+:￥2.53
1000+:￥2.3499
3000+:￥2.3499
6000+:￥2.1601
9000+:￥2.14
24000+:￥2.063000+:￥2.611+:￥2.57
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SISS23DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 4.5mOhm@4.5V -50A P-Ch G-III1+:￥6.55
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISS23DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 4.5mOhm@4.5V -50A P-Ch G-III1+:￥6.55
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISS23DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 4.5mOhm@4.5V -50A P-Ch G-III1+:￥6.55
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3000+:￥2.3499
6000+:￥2.1601
9000+:￥2.14
24000+:￥2.06
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISS23DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SISS23DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 4.5mOhm@4.5V -50A P-Ch G-III1+:￥6.55
10+:￥5.75
25+:￥5.07
100+:￥4.42
250+:￥3.8401
500+:￥3.27
1000+:￥2.631+:￥5.04
10+:￥3.93
100+:￥2.98
500+:￥2.53
1000+:￥2.3499
3000+:￥2.3499
6000+:￥2.1601
9000+:￥2.14
24000+:￥2.063000+:￥2.611+:￥2.571+:￥2.1
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SISS23DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：P沟道1+:￥4.93
10+:￥4.81
30+:￥4.72
100+:￥4.54
SISS23DN-T1-GE3的相关型号
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