系列：TrenchFET® Gen IV

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：68nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3420pF @ 15V

功率耗散（最大值）：57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 10A, 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8S

在线目录：N-Channel MOSFET (Metal Oxide)

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

Id-连续漏极电流：40A

Pd-功率耗散：57W

Qg-栅极电荷：68nC

Rds On-漏源导通电阻：1.8mOhms

Vds-漏源极击穿电压：30V

Vgs - 栅极-源极电压：-16V,20V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.1V

上升时间：15ns

下降时间：10ns

典型关闭延迟时间：25ns

典型接通延迟时间：13ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：PowerPAK-1212-8

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-55C

正向跨导 - 最小值：70S

系列：SIS

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs