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SISS02DN-T1-GE3 /MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS02DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V, - 12 V

Qg-栅极电荷:83 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:65.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:94 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:14 ns

供应商SISS02DN-T1-GE3
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