FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1050pF @ 50V

功率耗散（最大值）：57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：59 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerVDFN

Id-连续漏极电流：23A

Pd-功率耗散：57W

Qg-栅极电荷：30nC

Rds On-漏源导通电阻：47mOhms

Vds-漏源极击穿电压：100V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

上升时间：30ns

下降时间：11ns

典型关闭延迟时间：21ns

典型接通延迟时间：35ns

安装风格：SMD/SMT

宽度：3.3mm

封装/外壳：PowerPAK-1212-8

晶体管极性：P-Channel

晶体管类型：1P-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-50C

正向跨导 - 最小值：13S

系列：SIS

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

长度：3.3mm

高度：1.04mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs