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SISH625DN-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SISH625DN-T1-GE3的规格信息
SISH625DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:126 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:47 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SISH625DN-T1-GE3
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SISH625DN-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISH625DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK$0.66000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISH625DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
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