制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:36 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SIHFR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:0.88 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:9.8 ns