SIB456DK-T1-GE3的供应商，SIB456DK-T1-GE3规格参数，SIB456DK-T1-GE3的PDF资料

SIB456DK-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75

SIB456DK-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC75-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:6.3 A

Rds On-漏源导通电阻:153 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIB

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:3.7 S

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:96 mg

SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIB456DK-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

SIB456DK-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIB456DK-T1-GE3	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75	Vishay / Siliconix	265.26 Kbytes	共9页	无
SIB456DK-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75	Vishay Siliconix	264.72 Kbytes	共9页	无
SIB456DK-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：185mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：13W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	223.11 Kbytes	共9页	无

SIB456DK-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.961+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.063000+:￥0.990150+:￥3.6701 250+:￥3 1000+:￥2.8599 3000+:￥2.721+:￥1.29
ChipOneStop	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.961+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.063000+:￥0.9901
Digi-Key 得捷电子	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.96
Digi-Key 得捷电子	SIB456DK-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75	$0.53000
Mouser 贸泽电子	SIB456DK-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75	1:¥4.0002 10:¥3.0623 100:¥2.2713 500:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,000:¥1.4464
Mouser 贸泽电子	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.961+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.06
RS(欧时)	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.961+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.063000+:￥0.990150+:￥3.6701 250+:￥3 1000+:￥2.8599 3000+:￥2.72
Verical	SIB456DK-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET	3000+:￥1.24 6000+:￥1.1601 15000+:￥1.08 30000+:￥1.02 75000+:￥1 150000+:￥0.961+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.063000+:￥0.990150+:￥3.6701 250+:￥3 1000+:￥2.8599 3000+:￥2.721+:￥1.291+:￥1.08
立创商城	SIB456DK-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：185mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：13W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.76 10+:￥5.77 30+:￥5.4 100+:￥5.04 500+:￥4.87 1000+:￥4.79

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