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SIB437EDKT-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIB437EDKT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:13W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® TSC-75-6

供应商器件封装:PowerPAK® TSC75-6

供应商SIB437EDKT-T1-GE3
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SIB437EDKT-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.371+:¥3.3
10+:¥2.48
100+:¥1.8399
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SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
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6000+:¥1.32
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24000+:¥1.17