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SIB452DK-T1-GE3 /Single N-Channel 190 V 2.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SC-75-6L
SIB452DK-T1-GE3的规格信息
SIB452DK-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.5A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):135pF @ 50V

Vgs(最大值):±16V

功率耗散(最大值):2.4W(Ta),13W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.4 欧姆 @ 500mA,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L

封装形式Package:SC-75-6

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:190V

连续漏极电流ID:670mA

漏源极导通电阻RDS(ON):2.4Ohms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SIB452DK-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SIB452DK-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIB452DK-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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深圳市德州众泰科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783
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集好芯城SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIB452DK-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIB452DK-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
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深圳市斌腾达科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市水星电子有限公司SIB452DK-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳诚思涵科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市华芯盛世科技有限公司SIB452DK-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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SIB452DK-T1-GE3MOSFET 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO230.51 Kbytes共9页SIB452DK-T1-GE3的PDF下载地址
SIB452DK-T1-GE3MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO255.33 Kbytes共9页SIB452DK-T1-GE3的PDF下载地址
SIB452DK-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):190V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO229.42 Kbytes共9页SIB452DK-T1-GE3的PDF下载地址
SIB452DK-T1-GE3SIB452DK-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 0.67 A; 190 V; 6-Pin SC-75Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO225.9 Kbytes共9页SIB452DK-T1-GE3的PDF下载地址
SIB452DK-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SIB452DK-T1-GE3Siliconix / VishaySIB452DK-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 0.67 A; 190 V; 6-Pin SC-75+300:$0.67
+600:$0.59
+1500:$0.55
+3000:$0.47
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Am2
SIB452DK-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.11
6000+:¥1.96
15000+:¥1.89
30000+:¥1.8201
75000+:¥1.79
150000+:¥1.751+:¥4.58
10+:¥3.59
100+:¥2.72
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3000+:¥2.15
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25+:¥4.34
100+:¥3.78
250+:¥3.29
500+:¥2.8
1000+:¥2.251+:¥2.3499
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75$0.82000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIB452DK-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.11
6000+:¥1.96
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30000+:¥1.8201
75000+:¥1.79
150000+:¥1.75
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element14 e络盟电子
SIB452DK-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.11
6000+:¥1.96
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30000+:¥1.8201
75000+:¥1.79
150000+:¥1.751+:¥4.58
10+:¥3.59
100+:¥2.72
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250+:¥3.29
500+:¥2.8
1000+:¥2.25
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Mouser 贸泽电子
SIB452DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-751:¥6.9156
10:¥6.0681
100:¥4.6895
500:¥3.4578
1,000:¥2.7798
3,000:¥2.5651
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIB452DK-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥2.11
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立创商城
SIB452DK-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):190V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道1+:¥5.84
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