系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±5V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），13W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：19 毫欧 @ 3A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SC-75-6L

封装形式Package：PowerPak-6

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：9A

漏源极导通电阻RDS(ON)：19mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：0.8V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs