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SIB417DK-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIB417DK-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 5.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.75nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):675pF @ 4V

功率 - 最大值:13W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L

供应商器件封装:PowerPAK® SC-75-6L 单

其它名称:SIB417DK-T1-GE3TRSIB417DKT1GE3

供应商SIB417DK-T1-GE3
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