制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:4.5 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :14 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:8 ns, 11 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:22 ns, 52 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:27 ns, 37 ns

典型接通延迟时间:12 ns, 20 ns