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SI8487DB-T1-E1 /MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
SI8487DB-T1-E1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MicroFoot-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7.7 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:80 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.65 mm

长度:1.6 mm

系列:SI8

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:195 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SI8487DB-E1

供应商SI8487DB-T1-E1
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集好芯城SI8487DB-T1-E1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
SI8487DB-T1-E1VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥36.91
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