FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）21nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）475pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds10V

功率耗散（最大值）780mW（Ta），1.8W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）73 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装4-Microfoot

封装/外壳4-XFBGA，CSPBGA

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs