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SI8483DB-T2-E1 /MOSFET -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
SI8483DB-T2-E1的规格信息
SI8483DB-T2-E1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MicroFoot-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:65 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:13 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI8

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:10 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:20 ns

供应商SI8483DB-T2-E1
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI8483DB-T2-E1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城SI8483DB-T2-E1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI8483DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SI8483DB-T2-E1上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI8483DB-T2-E1深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
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SI8483DB-T2-E1MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOTVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO169.38 Kbytes共8页SI8483DB-T2-E1的PDF下载地址无
SI8483DB-T2-E1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：13W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO171.77 Kbytes共8页SI8483DB-T2-E1的PDF下载地址无
SI8483DB-T2-E1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI8483DB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III1+:￥4.66
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Digi-Key 得捷电子		SI8483DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT$0.59000
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI8483DB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III1+:￥4.66
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI8483DB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 11:¥4.4522
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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RS(欧时)		SI8483DB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III1+:￥4.66
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