FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：450pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：104 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：4-Microfoot
封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs