系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：900pF @ 4V

Vgs（最大值）：±5V

功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：64 毫欧 @ 1.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-uFBGA

封装形式Package：MicroFoot-4

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：8V

连续漏极电流ID：4.6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：64mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs