系列：TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：80nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：7340pF @ 8V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：3 毫欧 @ 29A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SO-8
封装形式Package：SOIC-8
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：16V
连续漏极电流ID：18A
漏源极导通电阻RDS(ON)：3mOhms
无铅情况/RoHs：否