SI7864ADP-T1-GE3
/MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
SI7864ADP-T1-GE3的规格信息
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：18 A
导通电阻：3 mOhms
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
封装：Reel
商标：Vishay / Siliconix
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：1.9 W
工厂包装数量：3000
零件号别名：SI7864ADP-GE3
ROHS： 含铅
SI7864ADP-T1-GE3
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SI7864ADP-T1-GE3 | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | Vishay / Siliconix |  | 85.65 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SI7864ADP-T1-GE3的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | SI7864ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V | 3,000:¥16.7466
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