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SI7858BDP-T1-GE3 /Single N-Channel 12 V 0.0025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
SI7858BDP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):84nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):5760pF @ 6V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):5W(Ta),48W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.5 毫欧 @ 15A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:12V

连续漏极电流ID:40A

漏源极导通电阻RDS(ON):2.5MOhms

栅源极阀值电压VGS(th):0.4Vto1V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7858BDP-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7858BDP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419
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深圳市芯奕科技有限公司SI7858BDP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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”13725596657“17503034873
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135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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SI7858BDP-T1-GE3N-Channel 12 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO515.49 Kbytes共13页SI7858BDP-T1-GE3的PDF下载地址
SI7858BDP-T1-GE3的全球分销商及价格
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SI7858BDP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 40A NCH3000+:¥4.89
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Avnet Express
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.6639
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SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-86,000 : $0.6384
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Digi-Key 得捷电子
SI7858BDP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 40A NCH3000+:¥4.89
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SI7858BDP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 12 V 0.0025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
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3,000 : $0.6444
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SI7858BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-81:¥12.8368
10:¥10.5994
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500:¥7.0173
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Mouser 贸泽电子
SI7858BDP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 40A NCH3000+:¥4.89
6000+:¥4.65
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Newark element14
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET1 : $0.701
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