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SI7850DP-T1-GE3 /MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-GE3的规格信息
SI7850DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:10.3 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:26 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SI7850DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI7850DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783
廖小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7850DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI7850DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
上海三崧电子有限公司SI7850DP-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7850DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI7850DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si7850DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
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SI7850DP-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO485.01 Kbytes共11页SI7850DP-T1-GE3的PDF下载地址
SI7850DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SI7850DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V1+:¥12.59
10+:¥11.11
25+:¥10.04
100+:¥8.78
250+:¥7.7
500+:¥6.83
1000+:¥5.41+:¥10.3501
10+:¥8.28
100+:¥6.6701
500+:¥6.63
1000+:¥6.1999
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24000+:¥5.383000+:¥5.593000+:¥5.641+:¥6.04
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SI7850DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsN-CH 60-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET3,000 : $0.886
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Avnet Express
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.6455
14,999 : $0.633
29,999 : $0.621
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ChipOneStop
SI7850DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V1+:¥12.59
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Digi-Key 得捷电子
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8$1.81000
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Digi-Key 得捷电子
SI7850DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V1+:¥12.59
10+:¥11.11
25+:¥10.04
100+:¥8.78
250+:¥7.7
500+:¥6.83
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Digi-Key 得捷电子
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-810 : $1.456
1 : $1.63
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element14 Asia-Pacific
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC, FULL REEL6,000 : $28.219999
12,000 : $27.35
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Future Electronics
SI7850DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
RoHS : Compliant
1 : $0.8833
300 : $0.8611
1,250 : $0.8278
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
SI7850DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V1+:¥12.59
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24000+:¥5.383000+:¥5.593000+:¥5.64
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI7850DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.4524
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI7850DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V1+:¥12.59
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100+:¥6.6701
500+:¥6.63
1000+:¥6.1999
3000+:¥5.6899
6000+:¥5.63
9000+:¥5.41
24000+:¥5.38
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Newark element14
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET, N CHANNEL, 60V, 6.2A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V ;RoHS Compliant: Yes250 : $1.2
500 : $1.12
1,000 : $0.895
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI7850DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 10.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥4.17
10+:¥4.05