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SI7846DP-T1-E3/BKN /MOSFET; 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized
SI7846DP-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

ConfigurationQuad Drain, Triple Source

Dimensions5.99 x 5 x 1.07 mm

Drain Current24.5 A

Drain to Source On Resistance0.05 Ω

Drain to Source Voltage150 V

Forward Transconductance18 S

Forward Voltage, Diode1.1 V

Gate to Source Voltage±20 V

Height0.042" (1.07mm)

Length0.235" (5.99mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins8

Package TypePowerPAK-SO-8

Power Dissipation1.9 W

SeriesSI78 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Turn Off Delay Time22 ns

Turn On Delay Time12 ns

Typical Gate Charge @ Vgs30 nC @ 10 V

Width0.197" (5mm)

供应商SI7846DP-T1-E3/BKN
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