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SI7818DN-T1-E3 /Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
SI7818DN-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.2A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):135 毫欧 @ 3.4A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

封装形式Package:PowerPak1212-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:150V

连续漏极电流ID:2.2A

漏源极导通电阻RDS(ON):135mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7818DN-T1-E3
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13332931905
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7818DN-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市星宇佳科技有限公司SI7818DN-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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SI7818DN-T1-E3Siliconix / VishaySI7818DN-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 2.2 A; 150 V; 8-Pin PowerPAK 1212+3000:$1.11
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SI7818DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V3000+:¥4.89
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Digi-Key 得捷电子
SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8$1.74000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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SI7818DN-T1-E3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:¥12.17
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